RN2101(F)
Описание RN2101(F)
Transistor with Built-in Resistor, BRT Series, Toshiba
Brand | Toshiba |
---|---|
Тип транзистора | PNP |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
Тип корпуса | ESM |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 В |
Число контактов | 3 |
Количество элементов на ИС | 1 |
Размеры | 1.6 x 0.8 x 0.7мм |
Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара