RN1106(F)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание RN1106(F)
Transistor with Built-in Resistor, BRT Series, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
| Тип корпуса | ESM |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Число контактов | 3 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Размеры | 1.6 x 0.8 x 0.7мм |
| Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара