GT20J341
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание GT20J341
IGBT Discretes, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 20 А |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±25V |
| Максимальное рассеяние мощности | 45 Вт |
| Тип корпуса | TO-220SIS |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 100кГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 10 x 4.5 x 15мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара