GT50JR21
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание GT50JR21
IGBT Discretes, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±25V |
| Максимальное рассеяние мощности | 230 Вт |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 15.5 x 4.5 x 20мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара