8 800 1000 321 - контакт центр

IRF9952PBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

  • IRF9952PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
International Rectifier

Описание

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Документация

DataSheet
Код товара: 119736
Дата обновления: 21.09.2018 16:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 380 шт: 21.270 руб.
от 190 шт: 22.690 руб.
от 95 шт: 24.800 руб.
от 46 шт: 28.280 руб.
от 1 шт: 31.770 руб.
149 шт 1 день1 шт.7 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 26 шт: 18.087 руб.
200 шт.7 дн.1 шт.26 шт.
от 95 шт: 55.982 руб.
от 57 шт: 58.415 руб.
133 шт.28 дн.19 шт.57 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.25 г
Тип транзистора
N/P-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
3.5 А, 2.3 А
Сопротивление открытого канала
100 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
1 В
Максимальная рассеиваемая мощность
2 Вт
Заряд затвора
14 нКл
Входная емкость
190 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
55 шт.
Интернет-магазин
482 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF9952TRPBF
IRF8-SO0.00013.0151957

Подробное описание

Характеристики

Структураn/p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5/-2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм100/250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2/1.3
Крутизна характеристики, S02.04.2012
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе-1/1

C этим товаром покупают:

Транзисторы
STGY50NC60WD
Цена от
72.46 руб.
Транзисторы
IRF7103PBF
Цена от
14.17 руб.
Транзисторы
HGTG30N60A4
Цена от
153.09 руб.
Микросхемы
L7812CV
Цена от
8.44 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке