IRF5852TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
NRND
MOSFET Dual N-канал 20В/2,2А/0,09Ом_0,12Ом
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF5852TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTSOP-6
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.06 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF5852TRPBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 ом при 2.7a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 |
| Корпус | tsop6 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.25 |
| Вес, г | 0.1 |
Сообщите мне о поступлении товара