MJD127G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
PNP Darlington 100V 8A 20W
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJD127G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка75 шт
-
Вес брутто0.61 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
-
Ток коллектора Макс.
-
Мощность Макс.
-
Коэффициент усиления hFE
-
Тип монтажа
Описание MJD127G
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
| Структура | pnp darlington |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000…12000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1,75 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара