8 800 1000 321 - контакт центр

MJD127T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А   

MJD127T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219135
Дата обновления: 22.09.2017 20:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
Склад №514.25 руб.37500 шт.15 дн.2500 шт.2500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD127G
ONSDPAK/TO25213.6035015.121200
MJD127T4
STMDPAK-30.0008.3242500

Поделиться:
сообщение об ошибке