FQD1N80TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт

Код товара: 138397

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD1N80TM
Описание Eng:
MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

800В

Ток стока макс.

1A

Сопротивление открытого канала

20 Ом

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

7.2нКл

Входная емкость

195пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.4 г.

Описание FQD1N80TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD1N80TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2394
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.