FD150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FD150R12RT4HOSA1
Описание Eng:
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора
В упаковке:
10 шт
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
150А
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
4 531,20 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FD150R12RT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FD150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара