FD150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 150а

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Код товара: 139806
Дата обновления: 21.09.2021 10:25
Доставка FD150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    34 mm
  • Нормоупаковка
    10 шт.
  • Вес брутто
    180 г.
  • Напряжение коллектор-эмиттер
  • Ток коллектора