FD150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 150а
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FD150R12RT4HOSA1
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара