DF150R12RT4, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи эмиттера
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
DF150R12RT4
Документы:
Технические параметры
-
Корпус34 mm
-
Тип упаковкиШтучный товар
-
Нормоупаковка1 шт
-
Вес брутто178.6 г.
-
Напряжение коллектор-эмиттер
Сообщите мне о поступлении товара