FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 1600000mW 11-Pin Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF300R12ME4BOSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусECONOD-3
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка10 шт.
-
Вес брутто360 г.
-
Напряжение коллектор-эмиттер
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара