FQT4N20LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQT4N20LTF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
41,40 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 35+ 69+ 137+ 274+56,10 ₽ 51,06 ₽ 47,10 ₽ 43,80 ₽ 41,40 ₽Срок:В наличииНаличие:1 847Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 35+ 69+ 137+ 274+56,10 ₽ 51,06 ₽ 47,10 ₽ 43,80 ₽ 41,40 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 35+ 69+ 137+ 274+56,10 ₽ 51,06 ₽ 47,10 ₽ 43,80 ₽ 41,40 ₽Срок:В наличииНаличие:32Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FQT4N20LTF
The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 850 мА |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3.56мм |
| Высота | 1.6мм |
| Размеры | 6.5 x 3.56 x 1.6мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,35 Ом |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 V |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 240 пФ при -25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.39 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FQT4N20LTF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара