Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
Акция
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 793 шт

Внешние склады:
1 048 шт
Аналоги:
89 шт
Цена от:
от 40,44
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 763 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,57
IRF640NPBF IRF640NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 425 шт

Внешние склады:
3 678 шт
Цена от:
от 15,59
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5А 43Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 259 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
765 шт
Цена от:
от 15,98
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 031 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
675 шт
Цена от:
от 49,20
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 787 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,30
Акция
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 271 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 122,53
IRF630NPBF IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 254 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,85
IRF9630PBF IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 151 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 42,48
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
4220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 795 шт

Внешние склады:
970 шт
Цена от:
от 100,41
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 608 шт

Внешние склады:
3 820 шт
Цена от:
от 61,98
IRF640PBF IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 494 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 45,47
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223 (High Voltage)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
960мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 245 шт

Внешние склады:
2 662 шт
Цена от:
от 28,34
Акция
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 005 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,86
BSS87,115 BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,19
IRF9640PBF IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 956 шт

Внешние склады:
45 шт
Цена от:
от 74,99
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 926 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 146,71
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 764 шт

Внешние склады:
780 шт
Цена от:
от 134,97
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 564 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,33
IRFP4668PBF IRFP4668PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
9.7 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
241нКл
Входная емкость:
10720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 377 шт

Внешние склады:
565 шт
Цена от:
от 178,39
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"