FQT4N20LTF, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQT4N20LTF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-223
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.21 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQT4N20LTF
The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 850 мА |
Тип корпуса | SOT-223 |
Максимальное рассеяние мощности | 2,2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 3.56мм |
Высота | 1.6мм |
Размеры | 6.5 x 3.56 x 1.6мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 6.5мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 7 нс |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 15 нс |
Серия | QFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 1,35 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток | 200 V |
Число контактов | 3+Tab |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 4 nC @ 5 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 240 пФ при -25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.39 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара