FDV304P, Полевой транзистор, P-канальный, 25 В, 460 мА, 0.35W

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, P-канальный, 25 В, 460 мА, 0.35W
Код товара: 146114
Дата обновления: 03.08.2021 00:10
Цена от: 2,27 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FDV304P, Полевой транзистор, P-канальный, 25 В, 460 мА, 0.35W в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт.
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
    25V
  • Ток стока макс.
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности

Описание FDV304P

Полевой транзистор, P-канальный, 25 В, 460 мА, 0.35W

The FDV303P from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303P is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
• Drain to source voltage (Vds) of -25V
• Gate to source voltage of -8V
• Continuous drain current (Id) of -460mA
• Power dissipation (pd) of 350mW
• Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
• Operating temperature range -55°C to 150°C

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-0.46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.1 ом при-0.5а, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Крутизна характеристики, S0.8
Корпусsot23
Вес, г0.05