BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Производитель:
Описание Eng:
35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Цена от:
13 715,49 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM25GD120DN2E3224BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара