BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Описание Eng:
35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
В упаковке:
10 шт
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
13 715,49 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Документы и сертификаты
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM25GD120DN2E3224BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара