IRFB4310ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 250Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 250Вт
Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFB4310ZPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFB4310ZPBF
The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 127 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 75a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Крутизна характеристики, S | 150 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара