Одиночные MOSFET транзисторы

₄₀

Мощность макс.: 250Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

280 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 339,21₽

-6% Акция

IRFB4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

988 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 79,76₽

IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6860пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 301 шт

Внешние склады:

950 шт

Цена от:

от 67,05₽

SIHG20N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2942пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 029 шт

Внешние склады:

469 шт

Цена от:

от 112,07₽

Акция

STW21N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

299 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1645пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

127 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 356,30₽

Акция

AUIRF6218S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

75 шт

Цена от:

от 197,71₽

SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

11 шт

Цена от:

от 113,80₽

SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 424,28₽

STP21N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

299 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1645пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 808,25₽

FDB28N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

129 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP20N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

59.5нКл

Входная емкость:

3120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-7-3

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

1.1 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

225нКл

Входная емкость:

17940пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB13N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 250Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

81нКл

Входная емкость:

1910пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3307PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN030-150B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

55.5A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

145 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"