STP11NK50Z, Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 115Вт
N-Channel 500V - 0.48 Ohm - 10A Zener-Protected
Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 115Вт
Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 115Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STP11NK50Z
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.82 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STP11NK50Z
The STP11NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 ом при 4.5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Крутизна характеристики, S | 7.7 |
Корпус | to220ab |
Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара