STP11NM60ND, Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
N-channel 600V - 0.37Ohm - 10A
Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт
Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STP11NM60ND
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.63 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STP11NM60ND
The STP11NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• Low gate input resistance
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 ом при 5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара