IRF7317PBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.6 А/5.3 А, 2Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.6 А/5.3 А, 2Вт
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.6 А/5.3 А, 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7317PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.16 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7317PBF
Характеристики
| Структура | n/p-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | ±20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | ±6.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 29/58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 20/5.9 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.7/-0.7 |
Полные аналоги
-
IRF7317TRPBF MOSFET N/P-CH 20V 8-SOICНаличие:3960 штМинимум:штЦена от:47,48 ₽INFSOIC8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара