IRF7317TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7317TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.25 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7317TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А, 6,6 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 8.1 ns, 15 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 38 нс, 42 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 46 mΩ, 98 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 18 нКл при 4,5 В, 19 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 780 пФ при -15 В, 900 пФ при 15 В |
| Тип канала | N, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7317PBF MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3AINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара