IRF7316TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF7316TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Цена от:
30,27 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 149+ 297+ 594+ 1188+40,78 ₽ 37,39 ₽ 34,75 ₽ 32,99 ₽ 31,43 ₽Срок:В наличииНаличие:22 243Минимум:8Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 149+ 297+ 594+ 1188+40,78 ₽ 37,39 ₽ 34,75 ₽ 32,99 ₽ 31,43 ₽Срок:В наличииНаличие:38Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
33+ 160+ 319+ 1675+34,36 ₽ 32,72 ₽ 32,18 ₽ 30,27 ₽Срок:7 днейНаличие:1 675Минимум:Мин: 33Количество в заказ
-
16+ 72+ 144+ 300+76,36 ₽ 72,72 ₽ 71,51 ₽ 67,27 ₽Срок:7 днейНаличие:300Минимум:Мин: 16Количество в заказ
-
18+ 72+76,90 ₽ 73,24 ₽Срок:7 днейНаличие:80Минимум:Мин: 18Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7316TRPBF
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.9 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 34 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 98 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 710 pF @ 25 V |
| Тип канала | A, P, WRU |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
17 271 шт
Под заказ:
4 225 шт
Цена от:
от 35,02₽
Наличие:
19 946 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,55₽
Акция
IRF7104PBF Функциональный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В,2.3 А, 2 Вт, 0.25 Ом
Акция
IRF7316PBF Полный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF7316TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара