IRF7351PBF, Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF7351PBF
Описание Eng:
MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2W
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
51,21 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRF7351PBF
Характеристики
| Структура | 2n-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
| Особенности | полевая сборка |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Наличие:
4 979 шт
Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 47,76₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF7351PBF , Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 250 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара