IRF7351PBF, Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт

Код товара: 152427

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7351PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Напряжение сток-исток макс.

60 В

Ток стока макс.

8 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Вес брутто

0.15 г.

Описание IRF7351PBF

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм17.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S18
Корпусso8
Особенностиполевая сборка
Пороговое напряжение на затворе2…4

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF7351TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
363 шт

Под заказ:
5 400 шт
Цена от:
от 40,62

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF7351PBF , Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 257
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.