IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2W
Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7351PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.15 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7351PBF
Характеристики
| Структура | 2n-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
| Особенности | полевая сборка |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Полные аналоги
-
IRF7351TRPBF MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICНаличие:7652 штМинимум:штЦена от:58,48 ₽INFSOIC8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара