2N7000TA, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2N7000TA
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO92/formed lead
-
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
-
Нормоупаковка2000 шт
-
Вес брутто0.3 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание 2N7000TA
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 ом при 0.5а, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Корпус | to92 |
| Вес, г | 0.3 |
Полные аналоги
-
2N7000-D26Z MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92ONSTO92-3
-
2N7000-G MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92MCHPTO92-3
-
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92ONSTO92-3
-
2N7000BU MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92ONSTO92-3
-
2N7000_D26Z MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92ONSTO92-3
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара