Одиночные MOSFET транзисторы

15
Мощность макс.: 400мВт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
2N7000 2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА TO-92
Производитель:
DC COMPONENTS CO., LTD
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
5Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
4 540 шт

Внешние склады:
6 561 шт
Аналоги:
15 707 шт
Цена от:
от 3,31
Акция
2N7000TA 2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 707 шт

Внешние склады:
13 000 шт
Аналоги:
11 101 шт
Цена от:
от 5,18
Акция
NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,83
Акция
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 259 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 4,29
Акция
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 760 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 4,54
Акция
NX2301P,215 NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 101 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 5,85
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 4,70
DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-X2-DFN0806
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
510мА
Сопротивление открытого канала:
990 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.5нКл
Входная емкость:
27.6пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
40 000 шт
Цена от:
от 2,21
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Цена от:
от 3,54
Акция
2N7000 2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 808 шт
Цена от:
от 3,31
2N7000BU 2N7000BU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 808 шт
Цена от:
от 3,31
NVR1P02T1G NVR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
309пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 1.1A автомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"