BF998E6327HTSA1, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C
RF MOSFET N-CH 12V 0.03A Automotive
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BF998E6327HTSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT143
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
Сообщите мне о поступлении товара