BF999E6327HTSA1, Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C
RF MOSFET N-CH 20V 0.03A Automotive
Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C
Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BF999E6327HTSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
Сообщите мне о поступлении товара