BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM75GB120DN2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 7-Pin 34MM-1 Tray
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
В упаковке:
10 шт
Корпус:
AG-34MM
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
105А
Максимальная мощность:
625 Вт
Цена от:
7 783,62 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+9 007,89 ₽ 8 588,63 ₽ 8 255,86 ₽ 7 984,81 ₽ 7 783,62 ₽Срок:В наличииНаличие:8Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
2+11 091,04 ₽Срок:7 днейНаличие:2Минимум:Мин: 2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание BSM75GB120DN2
| Вес, г | 250 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM75GB120DN2 , Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара