FDA69N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 69A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
Транзистор полевой N-канальный 250В 69A
Транзистор полевой N-канальный 250В 69A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDA69N25
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3PN
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка450 шт
-
Вес брутто5.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDA69N25
МОП-транзистор 250V N-Channel МОП-транзистор
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 69 A |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 480 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 95 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 41 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 250 В |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 77 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3570 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара