FDB150N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Код товара: 197181

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB150N10
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

100В

Ток стока макс.

57A

Сопротивление открытого канала

15 мОм

Мощность макс.

110Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

4.5В

Заряд затвора

69нКл

Входная емкость

4760пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DBІPAK

Описание FDB150N10

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияFDB150N10
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота4.83 mm
Длина10.67 mm
Упаковка / блокTO-263-3
Ширина9.65 mm
Вес изделия1.312 g
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности110 W
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Время спада83 ns
Время нарастания164 ns
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки57 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Канальный режимEnhancement
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Тип транзистора1 N-Channel
Типичное время задержки выключения86 ns
Типичное время задержки при включении47 ns

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDB150N10 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 179
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.