FDB150N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FDB150N10
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDB150N10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес изделия | 1.312 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 83 ns |
| Время нарастания | 164 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 86 ns |
| Типичное время задержки при включении | 47 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDB150N10 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 179 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара