Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
9250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
1 540 шт
Аналоги:
904 шт
Цена от:
от 63,42
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 016 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 63,54
IRF8010PBF IRF8010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
438 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,60
IRFB4228PBF IRFB4228PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
4530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 252,30
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 634 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 114,48
Акция
IRFPS3815PBF IRFPS3815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105А 441Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
105A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
441Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
390нКл
Входная емкость:
6810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
419 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 363,84
Акция
STP62NS04Z STP62NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
33В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
361 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,20
STP80NF10 STP80NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
182нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
165 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 159,66
STP80NF10FP STP80NF10FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
227 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 147,18
AOD4186 AOD4186 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7215-55A,118 BUK7215-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 55 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB150N10 FDB150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5670 FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
2739пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA7670 FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-MLP (2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP150N10 FDP150N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP150N10A_F102 FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7240PBF IRF7240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
9250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 485 шт
Цена от:
от 24,96
IRF7493PBF IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 316 шт
Цена от:
от 63,54
Акция
IRF8010SPBF IRF8010SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67399 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"