FDD306P, Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А
Документация
Код товара: 197263
Дата обновления: 16.12.2018 23:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
| Внешние склады | ||||||||||
| 22 500 шт. | 10 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 2 500 шт. | 28 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
DPAK/TO252Нормоупаковка
2500 шт.Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)Напряжение исток-сток макс.
12 ВТок стока макс.
6.7 АСопротивление открытого канала
28 мОмМощность макс.
1.6 ВтТип транзистора
MOSFET P-канальный, металл-оксидОсобенности
С логическим управлением, 1.8V DriveПороговое напряжение включения макс.
1.5 ВЗаряд затвора
21 нКлВходная емкость
1290 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
25000 шт.Поделиться:
