Одиночные MOSFET транзисторы

46
Напряжение сток-исток макс.: 12В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (46)
-8% Акция
FDN306P FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
875 шт

Внешние склады:
3 834 шт
Цена от:
от 11,34
IRF7210TRPBF IRF7210TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
212нКл
Входная емкость:
17179пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
553 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,54
-8% Акция
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
9.2A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 500 шт

Внешние склады:
16 726 шт
Цена от:
от 49,32
-8% Акция
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
8676пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 427 шт

Внешние склады:
11 217 шт
Цена от:
от 55,32
IRLML6401 IRLML6401 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.3А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
86 912 шт

Внешние склады:
137 041 шт
Аналоги:
166 410 шт
Цена от:
от 1,68
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
34 932 шт

Внешние склады:
131 478 шт
Аналоги:
223 953 шт
Цена от:
от 4,62
-8% Акция
NTJS3151PT2G NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 3.3А, 4.5В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ @ 100 µA
Заряд затвора:
8.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
850пФ @ 12В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 581 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,42
-8% Акция
WM01P41M WM01P41M Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 12В, ток стока 4.1А
Производитель:
Wayon
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.1А
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
2 297 шт

Внешние склады:
20 360 шт
Цена от:
от 1,80
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 11A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
690мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
50.6нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 15,60
FDD306P FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 45,48
IRF7476TRPBF IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
15A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 15А, 4.5В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2550пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 28,20
IRLML6401 IRLML6401 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
Huashuo Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.3А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
22 420 шт
Цена от:
от 3,96
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 7,38
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 293 шт
Аналоги:
73 901 шт
Цена от:
от 19,38
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
73 901 шт
Аналоги:
5 293 шт
Цена от:
от 11,34
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 34A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 318,42
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-Micro Foot[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 400 шт
Цена от:
от 23,70
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 916 шт
Цена от:
от 20,88
CSD13202Q2 CSD13202Q2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 76A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13381F4 CSD13381F4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"