FDD6N50TM-WS, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Цена от:
62,65 руб.
Внешние склады
-
115+ 167+ 333+ 1661+76,51 ₽ 65,98 ₽ 64,32 ₽ 62,65 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 115Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDD6N50TM-WS
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | FDD6N50 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Высота | 2.39 mm |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 760 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 16.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 35 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDD6N50TM-WS , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара