FDMA291P, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDMA291P
Документы:
Технические параметры
-
КорпусMicroFET6
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDMA291P
Характеристики
| Структура | p-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -6.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Корпус | microfet 2x2 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара