Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 1В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (138)

IRLML2803TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

85пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

31 479 шт

Внешние склады:

3 650 шт

Аналоги:

284 023 шт

Цена от:

от 7,23₽

IRF7416TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

23 755 шт

Внешние склады:

3 933 шт

Аналоги:

20 727 шт

Цена от:

от 31,59₽

IRLML5103TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.76А 0.54Вт, 0.60 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

760мА

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5.1нКл

Входная емкость:

75пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

22 697 шт

Внешние склады:

22 600 шт

Аналоги:

54 588 шт

Цена от:

от 6,00₽

BSH201,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 300мА, 0.417Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 764 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 16,37₽

DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

280мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.74нКл

Входная емкость:

60.67пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 661 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,61₽

SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 949 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,00₽

IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 430 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 90,22₽

FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 213 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 57,07₽

-5% Акция

FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 045 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 10,17₽

IRL2203NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

116A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

3290пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 272 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 81,03₽

Акция

NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 229 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,38₽

-5% Акция

IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

812 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,88₽

IRLR3103TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

806 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 75,34₽

Акция

STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

769 шт

Внешние склады:

68 921 шт

Цена от:

от 21,40₽

IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro8[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

694 шт

Внешние склады:

9 388 шт

Цена от:

от 22,65₽

Акция

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

673 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

435 шт

Цена от:

от 30,23₽

-5% Акция

IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

572 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 54,45₽

SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

112 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

517 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

22 461 шт

Цена от:

от 5,05₽

IRF7821TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

9.1 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

512 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 280,34₽

-5% Акция

NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (SUPERSOT-23)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

162пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

363 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 10,35₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"