Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 1В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (138)

IRLML2803TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

85пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

56 627 шт

Внешние склады:

5 100 шт

Аналоги:

357 619 шт

Цена от:

от 5,75₽

IRLML5103TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.76А 0.54Вт, 0.60 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

760мА

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5.1нКл

Входная емкость:

75пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

10 850 шт

Внешние склады:

31 000 шт

Аналоги:

72 933 шт

Цена от:

от 6,52₽

BSH201,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 300мА, 0.417Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 107 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 21,36₽

DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

280мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.74нКл

Входная емкость:

60.67пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 216 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,60₽

SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

112 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

7 561 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

20 715 шт

Цена от:

от 4,77₽

IRF7416TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 683 шт

Внешние склады:

1 525 шт

Аналоги:

20 757 шт

Цена от:

от 27,80₽

IRL2203NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

116A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

3290пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

3 346 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 73,22₽

SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 228 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,63₽

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 832 шт

Внешние склады:

4 165 шт

Цена от:

от 7,56₽

IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 610 шт

Внешние склады:

520 шт

Цена от:

от 83,55₽

Акция

FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 380 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 9,93₽

FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 322 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 52,90₽

Акция

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 112 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 768 шт

Цена от:

от 28,59₽

Акция

NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (SUPERSOT-23)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

162пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 683 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 10,09₽

Акция

NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 311 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 16,43₽

Акция

IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 082 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,56₽

IRLR3103TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

782 шт

Внешние склады:

80 шт

Цена от:

от 66,65₽

Акция

STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

769 шт

Внешние склады:

68 938 шт

Цена от:

от 24,37₽

IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro8[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

700 шт

Внешние склады:

10 512 шт

Цена от:

от 18,79₽

Акция

IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

572 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 54,21₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"