FDP047N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDP047N10
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка1000 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDP047N10
N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 164 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 ом при 75a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Крутизна характеристики, S | 170 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5…4.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара