Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 965 шт

Внешние склады:
405 шт
Цена от:
от 62,52
IRFB7537PBF IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
173A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,64
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 186,18
Акция
IRFP7537PBF IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
172A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
296 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 147,12
Акция
STP200NF04 STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
878 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,78
AUIRF3004WL Полевой транзистор N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB047N10 FDB047N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
15265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP047N10 FDP047N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
15265пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
HUF75344G3 HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
285Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75344P3 HUF75344P3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
285Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP264PBF IRFP264PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP31N50LPBF IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP360PBF IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP460PBF IRFP460PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 732 шт
Цена от:
от 170,22
Акция
IRFPC60PBF IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"