FDP3682, Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDP3682
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка800 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDP3682
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 6 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 95 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.83мм |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 9 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 26 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 18,5 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1250 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара