Одиночные MOSFET транзисторы

16
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
-8% Акция
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
324 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,34
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
863 шт

Внешние склады:
1 021 шт
Цена от:
от 85,50
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 154 шт

Внешние склады:
14 084 шт
Цена от:
от 39,18
FDD3682 FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 56,88
FDD3860 FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 111,36
FDP2552 FDP2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 282,90
Акция
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 24А 56Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 46,32
IRFP150MPBF IRFP150MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
719 шт
Цена от:
от 63,12
FDB2552 FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3682 FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP3682 FDP3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF1310NSPBF IRF1310NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 884 шт
Цена от:
от 85,50
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1020пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"