FDPF51N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 28А 33Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 28 A, 33 W
Транзистор полевой N-канальный 250В 28А 33Вт
Транзистор полевой N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDPF51N25
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220F
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.91 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDPF51N25
Тип упаковки-Tube (туба); Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 28 А, 33 Вт
Корпус TO220FULLPAK3
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 51 А |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Максимальное рассеяние мощности | 38 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.9мм |
| Высота | 16.07мм |
| Размеры | 10.36 x 4.9 x 16.07мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.36мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 62 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 98 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 МОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 250 В |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2620 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2 |
Полные аналоги
-
FDPF51N25 Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 28 A, 33 WONSTO-220F
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара