FDPF4N60NZ, Транзистор полевой N-канальный 600В 3.8A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.8A
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDPF4N60NZ
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220F
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDPF4N60NZ
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 ом при 1.9a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Корпус | to220fp |
| Вес, г | 2 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара