FDV301N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3,57 руб.
-
1+ 291+ 582+ 1164+ 3000+6,50 ₽ 5,50 ₽ 4,72 ₽ 4,06 ₽ 3,57 ₽Срок:В наличииНаличие:172Минимум:47Количество в заказ
-
1+ 291+ 582+ 1164+ 3000+6,50 ₽ 5,50 ₽ 4,72 ₽ 4,06 ₽ 3,57 ₽Срок:В наличииНаличие:15 000Минимум:47Количество в заказ
-
1+ 291+ 582+ 1164+ 3000+6,50 ₽ 5,50 ₽ 4,72 ₽ 4,06 ₽ 3,57 ₽Срок:В наличииНаличие:47Минимум:8Количество в заказ
Технические параметры
Описание FDV301N
FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью элементов, технологией DMOS, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии и поддержки непревзойденной производительности переключения. Данный N-канальный полевой транзистор способен заменить несколько цифровых транзисторов с различными значениями резисторов цепи смещения. FDV301N подходит для низковольтных приложений и управления питанием.
• Напряжение сток-исток (Vds) 25В
• Напряжение затвор-исток 8В
• Непрерывный ток стока (Id) 220мА
• Рассеивание мощности 350мВт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 3.1Ом при Vgs 4.5В
• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 ом при 0.4a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 0.2 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
