FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
IGBT Module N-CH 1200V 105A 350000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FS75R12KE3BOSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусECONOD-3
-
Тип упаковкиШтучный товар
-
Нормоупаковка10 шт.
-
Вес брутто218.4 г.
Описание FS75R12KE3BOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Сообщите мне о поступлении товара