FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Module N-CH 1200V 105A 350W 28-Pin ECONO2-6 Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FS75R12KE3BOSA1
Документы:
Описание FS75R12KE3BOSA1
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
| Максимальная рабочая температура | +125 °C |
| Длина | 107.5мм |
| Transistor Configuration | Трехфазные |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 105 A |
| Тип корпуса | EconoPACK 2 |
| Максимальное рассеяние мощности | 350 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на печатную плату |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 45мм |
| Высота | 17мм |
| Число контактов | 28 |
| Размеры | 107.5 x 45 x 17мм |
| Конфигурация | 3-фазный мост |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 180 |
Сообщите мне о поступлении товара