IRF5305STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт

irf5305spbf pdf, 0,7 мБ

Код товара: 203691

Дата обновления: 26.04.2024 08:10

Цена от: 70,92 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF5305STRLPBF , Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

D2Pak (TO-263)
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

800 шт
Вес брутто

2.22 г.
Напряжение исток-сток макс.

55В
Ток стока макс.

31A
Сопротивление открытого канала

60 мОм
Мощность макс.

3.8Вт
Тип транзистора

P-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

63нКл
Входная емкость

1200пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF5305STRLPBF

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	31 A
Тип корпуса	D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности	110 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	9.65мм
Высота	4.83мм
Размеры	10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	14 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	39 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток	55 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	63 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1200 pF @ -25 V
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	2.5

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF5305STRRPBF Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Сообщить о поступлении

INF

D2PAK/TO263
IRF5305SPBF MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Сообщить о поступлении

INF

D2Pak (TO-263)

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF5210STRLPBF IRF530NSTRLPBF →