IRF5210STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF5210STRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто1.3 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF5210STRLPBF
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 ом при-38a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF5210SPBF MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK TubeINFD2PAK/TO263
Функциональные аналоги
-
JMGE540P10A JMG P-channel Advanced Mode Power MOSFET 100V 35A 57mOhmJJMD2PAK/TO263
Сообщите мне о поступлении товара