8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRF6201PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH 20V 27A SO-8

Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 27 А

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 203713
Дата обновления: 21.02.2019 02:00
Цена за 1шт: 70.10 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 190 шт: 49.640 руб.
от 95 шт: 52.450 руб.
от 44 шт: 56.480 руб.
от 22 шт: 63.280 руб.
от 1 шт: 70.100 руб.
135 штНа складе1 шт.5 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 363 шт: 47.187 руб.
от 91 шт: 48.428 руб.
от 72 шт: 50.496 руб.
431 шт.3 раб. дн.1 шт.72 шт.
от 39 шт: 114.974 руб.
от 4 шт: 119.886 руб.
80 шт.7 раб. дн.1 шт.4 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(SO8)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
20V
Ток стока макс.
27 А
Сопротивление открытого канала
2.45mОhm
Мощность макс.
2.5W
Тип транзистора
N-Channel
Особенности
With logical control
Пороговое напряжение включения макс.
1.1V
Заряд затвора
195nC
Входная емкость
8555pF
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
40 шт.
Интернет-магазин
646 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм2.75
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S-
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе0.5…1.1

Поделиться:
сообщение об ошибке